私達の検査員の対象と検査方式
 

EVAの剥離強度測定

W:  EVAがガラスやバックシートとの粘着力が適度な値に達しているか否かを測定します。

H:   デジタルフォースゲージを用いて剥離テストを行います。

W:  剥離強度値

H:   EVAがガラスやバックシートとの剥離強度を推奨された値と比較して測定します。

 

EVA引張力強度テスト

W:  EVAの抗引張力強度とアンチティアリング能力が適度な値か否かを測定します。

H:   デジタルフォースゲージを用いて引張力テストを行います。

W:  抗引張力強度値

H:   EVAを引っ張り切り、推奨された値と比較して測定します。

 

EVA樹脂容量テスト

W:  測定頻度

H:   プロセスパラメーターを調整するときに、少なくともすべてのEVAの樹脂容量のテストが終わった否かをチェックします。

W:  EVAクロスリンクレートの測定

H:   EVAの溶解したクロスリンク以外の部分を取り出してサンプルに樹脂を満足にを与える。

W:  樹脂容量値

H:   EVA樹脂の容量を推奨された値と比較します。

 

目視検査

W:  詳細な目視検査。写真で確認する。

H:   私達のチームは、以下の欠陥を見つけ、モジュールを検査します：

• 壊れた、破裂した、湾曲した、アレンジミスや引き裂かれた外部の表面。

•  壊れたまたは破裂したセル。

• 角の欠けた或いはエッジの壊れたセル。

• セルの表面に気泡や塵がある。

• 故障の相互接続またはジョイント。

• 互いまたはフレームに触れているセル。

• 接着の失敗

• 気泡や剥離がモジュールのエッジとセルの間で継続的に軌道を形成している。

• プラスチック素材のべとついた表面。
• 極端な損壊、使用の電気パーツの露出。
• 調整不良のソーラーセル
• ストリングの間の不規則な隙間。

• セルと内部のフレームエッジの間の不十分な距離。
• ソーラーセルの色の顕著な違い。

   

• エッジのガラス表面の汚れ、破損、擦りキズ、不純物、気泡や欠片。

• バスバーリボンにＴＩＮコーティングを施す。
• バスバーリボンがお互いにまたはフレームに接触する。
• バスバーリボンとフレームの間の不十分な距離。

• フレームの表面の汚れや擦りキズ
• バックシートのはんだ付けをする箇所を突出させる。
• シリアルナンバーラベルがセルに被さる。
•  パフォーマンスに影響するかもしれないいかなる条件でも。

 

サンシミュレーターの矯正とフラッシュテスト

W:	テストとストレージコンディションのために使われた機器。
H:	コントロールテスト機器リスト（キャリブレーションモジュール、サンシミュレーター、温度と圧力のセンサー、lV-曲線測定機器）と測定機器の保管のための調節/記録。

W:	サンシミュレーターの種類
H:	提供者のテクニカルスペックをチェックする（指定の測定エリア、テスト飛行機とランプの距離、放射照度の均一性、分光放射照度のデータ、放射照度の時間的な安定性、ＡＭフィルター、ディフューザー、光軸）そして、クラスＢを確認します、またはサンシミュレーターならなおよい。

W:	ランプテクニカルスペック
H:	ランプの種類、ランプのナンバー、ランプの寿命、パルス幅、フラッシュの間のチャージングタイムをチェックする。

W:	周期的にサンシミュレーターの性能をチェックする。
H:	記録をチェックし、性能がサンシミュレーターテクニカルスペックの下にあることを確かめる。

W:	サンシミュレーターの周期的な較正。
H:	記録をチェックし、較正状態が周期に合っていること。

W:	ＰＶリファレンスモジュールはサンシミュレーターを調整するのに用いられる。
H:	ＰＶリファレンスモジュールの特徴を制御し、写真を参考に、リファレンスモジュールの原型をトレイシングマーキングしてチェックする。

W:	ＰＶリファレンスモジュールの種類と数。
H:	リファレンスモジュールとリファレンスモジュールのタイプごとに較正サイクル記録をする。

W:	リファレンスモジュールにはテストされるモジュールと同じ特徴がある。
H:	リファレンスモジュールとテストされたモジュールのテクニカルスペックを比較する。

W:	リファレンスモジュールは、定期的に資格のある研究所によって調整されます。 主要そして第二のリファレンスモジュールが使われます。
H:	定期的に較正レポートをチェックし、確かめる。

W:	サンシミュレーター較正の正確度。
H:	適任の試験所によって較正されたＣＥＰソーラーリファレンスモジュールを使いサンシミュレーターを独立して再較正する。

W:	条件と環境を測定する。
H:	測定条件がＳＴＣと合うか否か、或いはＳＴＣへの伝達測定値に応じての補正率をチェックし、過酷な測定をし、（単独な試験室、反射係数）矯正していないものと矯正されたのを記録しチェックする。

W:	セル測定温度
H:	温度上昇過程と測定モジュール温度をサーモメータ―に繋がっていないデジタルＩＲを使いチェックし、値を記録する。温度センサーのナンバーと位置をチェックする。タイプ（ｐｔ１００、ＴＣ，ＩＲ等）

W:	メーカーは不確実な測定を引き起こす構成器機を推定する方法並べてこれらを使います。
H:	最大出力測定の反復性が合格判定値よりよいことをチェックする。

W:	測定やプロセスデーターをバックトラッキングし保存する。
H:	使われる（バーコード、データーベースその他）記録とトラッキングシステムをチェックする。

W:	IV特性測定の正確性。
H:	独立したリフラッシュモジュールを外部の相応しいサンシミュレーター試験所を使い、独立した実績を保障する。

 

 

 

電気的絶縁

W:	認証実験
H:	電流パーツの間の絶縁抵抗をチェックし、フレームあるいは周囲温度や外部環境、相対湿度が７５パーセントから並はずれていない電気テスターやＤＣ電圧元を用いる。

W:	耐電圧システム
H:	現在の制限（モジュールの最大のシステム電圧の2倍をプラスして500Vと1,000Vを適用することができる）でDC高電圧源を使うこと。

W:	リーク電流
H:	テストの間、誘電破壊が起こらないことと漏電が許容値より低いことを確認する。

W:	絶縁抵抗システム
H:	モジュールのエリアに応じて、モジュールの絶縁抵抗が許容値より高いこと。

 

 

 

端子の頑丈さ

W:	モジュールのボディーの端子と端子の付属品たとえば電線とフライングリードとコネクターは通常の会合から取扱作業までのストレスに対応できるように極める。
H:	引張を行い、曲げやトルクテストを違う種類の端子に行う。

W:	テストの後に機械的なダメージの形跡がない。
H:	電気接続し端子の外観と状態をチェックする。写真で確認する。

W:	テストの後最大出力パワーを下げる。
H:	最大出力パワーの下降が試験前に測定した値の許容割合を越えていないかチェックする。

W:	絶縁抗体は初めの測定値として同じ条件を満たすべき。
H:	絶縁テストを再度する。

 

機械負荷テスト

W:  モジュールの風、雪、氷や静止荷重に耐える能力を極める。
H:   段階的で均一な荷を適用しているパネルの両面の実験を行う。

W:	テストの間にモジュールの内部の回路の電気連続性をモニターする。
H:	断続的な開回路誤りがテストの間に見つけられないことを確認する。

W:	テストの後の大きな視覚欠損が見当たらないこと。
H:	目視検査。モジュールの設置や作動を損なうことができた機械の完全性のどんな低下でもチェックする。写真で確認する。

W:	最大出力パワーの下降。
H:	最大出力パワーの下降が試験前に測定した値の許容割合を越えていないかチェックする。

W:	絶縁抗体は初めの測定値として同じ条件を満たすべき。
H:	絶縁テストを再度する。

 

赤外イメージング

• W:  このように欠陥を検出する
• ソーラーセルのショート
• 動いていないセルパーツ
• テクニカルシャント
• 湿気
• ソーラーセルとコネクターの間の悪いはんだ付け接合部
• 欠陥のある部分文字列
• 欠陥のあるバイパスダイオード

H:	作業状態中リアルタイムに高解像度の赤外線画像がＰＶモジュールの特性の二次元分布を示す。そして、モジュールの温度を電気的に発生する各点の熱エネルギーで解析した。

 

エレクトロルミネンスイメージング

W:  このように欠陥を検出する   

• マイクロクラック
• 良くない指の接触
• 電気シャント
• 壊れた接触
• 壊れたセルの断片
• 電気分解されたセルのある場所
• 粒界
• セル材料の結晶化の障害

H:	ソーラーセルの金属接点を介してこれらに外部励磁電流を供給、放出されるフォトンの高解像度の画像を分析する。ＩＲ画像よりサイズが細かいレーザーで肉眼で感知することは難しい。